MOS-Transistorwähler

Fehlersuche an Transistoren durch den MOS-Transistorprüfselektor:

• Messparameter: Leerlaufspannung UGS (th), Innenwiderstand RDS, Transkonduktanz gm, Spannungsfestigkeit V (BR) DS
• Testbereich: UGS (th) 0.1-9.9 V; RDS 0.001-9.999 Ω g; 0.10-10.00 s; V (BR) DS 50-650V
• Teststrombereich: 0.1A-5A einstellbar, unterschiedliche Arbeitssituation einhalten
• Automatische Auswahl, Alarmierung außerhalb des Grenzwerts, erhöht die Arbeitseffizienz
• Die Technik zum Testen von RDS unter Hochstrom ist eine fortgeschrittene Technik